DRAM 42 nm Berbasis Tembaga

Micron Technology dan Nanya Technology mengumumkan bahwa mereka mengembangkan perangkat memory DDR3 2 gigabit. Menariknya, memory menggunakan teknologi proses DRAM 42 nanometer berbasis tembaga.

Proses 42 nm membuat daya 1,35 volt menjadi standar yang digunkan luas dibanding dengan 1,5 volt pada memory generasi sebelumnya. Dengan menyusutkan teknlogi proses, perangkat DDR3 Gb 42 nm yang baru memberikan kinerja memory yang lebih baik hingga mampu mencapai 1866 megabit per detik. Prototipe memory berteknologi tembaga 42 nanometer ini sendiri dijadwalkan akan selesai pada kuartal kedua 2010.